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    學術活動

    物理講壇(2020年第18講)

    發布日期:2020-10-28 作者:物理科學與技術學院 文章來源:未知  責任編輯:

    報告主題:二元氧化物阻變調控及其突觸仿生
    報告人:賴云鋒,教授,福州大學物理與信息工程學院
    報告時間:2020年10月28日(星期三)下午(16:00-17:00)
    報告地點:龍賽理科樓北樓116會議室

    報告簡介:
    憶阻器由于具備功耗低、CMOS工藝兼容性好、微縮能力強、開關速度快、窗口比值大、多值存儲等優良特性,而被國際半導體技術路線圖(ITRS)視作應當受到重視并加速實現產業化的新型存儲器之一。其多值存儲特性不僅可用于存儲器,實現海量存儲;還可服務于電子突觸,實現神經形態計算,為人工智能的發展奠定硬件基礎。本報告介紹摻雜、等離子體修飾、介質層設計、界面優化等手段對氧化鋅、氧化鉿憶阻器阻變性能的影響及其可能的作用機制;還將介紹相關改性工藝對器件多值存儲和仿生突觸特性產生的影響。

    報告人簡介:
    賴云鋒,福州大學物理與信息工程學院教授,2007年獲上海交通大學微電子學與固體電子學博士學位。隨后,在法國國家科學研究中心進行博士后研究,從事納米線合成及其物性研究、高介電常數材料性能優化及其器件工藝研究。2009年加盟福州大學,現任教授。近些年,針對阻變存儲材料與器件進行了具有特色的研究工作。提出采用等離子體修飾器件的技術手段,優化器件性能。已發表與存儲技術相關且被SCI收錄的學術論文30余篇,獲得8件國家發明專利授權。
     

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